【摘 要】
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介绍了低能区(＜20keV)带电粒子核反应中的电子屏蔽效应的实验及理论研究.并在常温下测量了在不同金属靶材料Mo,W中注入氘,发生d(d,p)t核反应的厚靶产额、S(E)因子、反应截
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介绍了低能区(＜20keV)带电粒子核反应中的电子屏蔽效应的实验及理论研究.并在常温下测量了在不同金属靶材料Mo,W中注入氘,发生d(d,p)t核反应的厚靶产额、S(E)因子、反应截面.在不破坏靶特性的情况下,应用75keV,0.6uA的高能氘束监测靶中的氘密度,对不同能量点进行修正,得电子屏蔽势能.在金属材料中,电子屏蔽势能比气态靶中高出约一个数量级.不同靶材料对D+D核反应的屏蔽效果差异很大.
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