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用磁控溅射法制备了Cu-SiC复合薄膜，研究了Cu掺杂SiC薄膜的微观结构和磁性，沉积态样品都是抗磁性的，随着退火温度的升高，样品出现从抗磁性到铁磁性的转变。进一步升高退火温度，当达到800℃时，样品铁磁性最强。在800℃下，随着Cu掺杂含量的增加，饱和磁化强度明显增加，Cu的掺杂含量为3 at.％时，样品具有最大饱和磁化强度为2.3 emu／cm3。通过第一性原理计算发现Cu掺入后，C的p轨道和Cu的d轨道之间存在强烈p-d耦合，使电子产生了自旋劈裂，体系的磁矩主要局域在C原子的2p轨道。