InGaAs薄有源区半导体光放大器集成模斑转换器

• 作 者: 丁颖;王鲁峰;潘教青;王书荣;舒惠云;赵玲娟;
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,北京,100083
• 出 处: 第五届全国光子学大会
• 发表日期: 2004年期

设计并初步研制了采用薄层 InGaAs 张应变有源区及薄限制层的半导体光放大器（SOAs）集成模斑转换器（SSC），有源区厚度仅有 43nm，介于量子阱与体材料之间，这种结构的器件，制作工艺简单，薄层有源区可以获得宽带宽，比常规薄层体材料半导体光放大器更小的光限制因子可以使器件获得高的饱和输出功率。由于采用了两端逐渐变宽的有源 SSC 结构，可以使因为光限制因子减小造成的增益降低得到部分补偿。制作出的掩埋异质结构（BH）器件，得到 13°的水平远场角，测试镀膜管芯的放大的自发发射（ASE）谱，获得 136nm 的 3dB 带宽。