液晶体系的三段剪切行为

来源 :2014年大分子体系理论、模拟与计算研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:honghuishupian
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  在剪切场下,液晶体系展现出特殊的流变学现象,比如剪切粘度的三段行为(随剪切速率增加:剪切变稀—剪切平台—剪切变稀)和负值的法向应力 [1].这些现象与传统的高分子所表现出的剪切粘度的两段行为(随剪切速率增加:剪切平台—剪切变稀)和正法向应力截然不同 [2].为了探寻液晶体系宏观流变现象下所蕴涵的微观机制,前人做了大量的实验和理论.Larson等人的理论比较好的预测了负值的法向应力,与实验相吻合 [3].但是,对于剪切粘度的三段剪切行为,目前鲜有合理的解释.本文从微观动力学的角度来研究三段剪切行为.我们发现,随着剪切速率的增加,液晶体系的指向失表现出截然不同的四种运动形式(此处的研究对象为单畴,整个液晶体系用平均取向来代替,平均取向即指向失),P-A,K,W,F-A.而且研究表明,液晶体系的微观动力学确实与三段剪切行为有着密切的关联,目前更加深入的研究已经开展.
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