【摘 要】
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对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围
【机 构】
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电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和光学常数谱,并与GaN单层结构折射率色散关系相比较,分析了多层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明:InN和Ga2O3折射率数值与先前研究结果相一致；其表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型(EMA)可使拟合结果更为准确；相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率增大约0.2,这应与GaN/InN界面压应力和态密度等有关；而在300-400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,则可能与GaN层在360nm左右存在的一个的强吸收(Eg≈3.4eV)有关。
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