【摘 要】
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Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
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Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关的缺陷，如VGa-ON被认为是主要的来源。相对于非故意掺杂常规和n型GaN而言，高阻GaN中YL相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。
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