采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究

• 作 者: 何洋 孙玉润 李奎龙 曾徐路 董建荣
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123
• 出 处: 第十四届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 晶格 异变 缓冲层 GaAs 生长 InP 外延层 金属有机物化学气相沉积

采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)在不同偏角GaAs衬底上通过AlxGa1-x-yInyAs晶格异变缓冲层生长了InP外延层.并用高分辨X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对材料的结晶质量、表面形貌和光学性质进行了表征.结果表明,在15度偏角衬底上采用组分步进的AlxGa1-x-yInyAs缓冲层生长的InP外延层表面形貌更好且发光更强.