超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响

• 作 者: 陈俊霞 贾少鹏 江德生 边历峰 陆书龙 杨辉
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院大学,北京100049河北工业大学,材料科学与工程学院,河北省新型功能材料重点实验室,天津3
• 出 处: 第十四届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2014年7期
• 关键词: 锗基磷化铟镓外延层 砷化铝界面层 金属有机气相外延法 光学特性 使用寿命

本文通过时间分辨谱(TRPL)研究了采用金属有机气相外延(MOVPE)法生长的超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响.低温下不同延迟时间分辨谱研究表明,有序GaInP材料的发光峰随延迟时间的增加发生红移.当AlAs界面层厚度由0.5nm增加到5nm时,非故意掺杂GaInP的衰退过程变慢,辐射复合寿命呈双指数规律衰退.