【摘 要】
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本文从P-JFET器件击穿的原理入手，分析了击穿电压与跨导，夹断电压，漏极饱和电流，最小导通电阻等关键参数的相互关系。利用silvaco仿真软件对顶栅和沟道的掺杂分布以及G-D耐压区尺
【机 构】
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重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文从P-JFET器件击穿的原理入手，分析了击穿电压与跨导，夹断电压，漏极饱和电流，最小导通电阻等关键参数的相互关系。利用silvaco仿真软件对顶栅和沟道的掺杂分布以及G-D耐压区尺寸进行了匹配和优化设计，结果表明，在满足其它参数主要指夹断电压符合要求的前提下，P-JFET器件击穿达到110V以上。
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