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本文研究了一种P 型硅中低浓度的铜的瞬态电容测试技术，通过观察间隙铜离子在电场作用下引起的电容瞬态变化行为，从而获得铜浓度的定量测量以及其扩散速率等信息，精确测得了在低温范围内硅中铜的固溶度和它的扩散参数。
P型硅中低浓度铜沾污的瞬态电容技术研究
【摘 要】
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本文研究了一种P 型硅中低浓度的铜的瞬态电容测试技术，通过观察间隙铜离子在电场作用下引起的电容瞬态变化行为，从而获得铜浓度的定量测量以及其扩散速率等信息，精确测得了在低
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2009年期
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