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胶体半导体幻数量子点纳米晶通常在常规量子点生成前期伴随出现。由于幻数量子点纳米晶和常规量子点通常共同存在，幻数量子点纳米晶在常规量子点的合成中的角色一直保持有不同的意见[1-3]。一个幻数量子点纳米晶的制备是困难的，其形成机理是匮乏的。这里，我们设计了合成方法来控制硫化镉胶体半导体幻数量子点纳米晶的形成速率，并且没有常规量子点的出现[4]。我们观测到一个单独的幻数量子点纳米晶的详细形成过程，从没有明显吸收峰的样品以连续红移的生长模式向窄的吸收峰发展，其形成速率对微量的添加剂很敏感。我们的洞察为幻数量子点纳米晶的生成机理提供了全新见解。幻数量子点纳米晶的形成经历了没有吸收峰的一步。