AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75NGaN异质结肖特基接触反向漏电的影响

• 作 者: 黄森 沈波 马楠 许福军 林芳 苗振林 宋杰 鲁麟 桑立雯 秦志新
• 机 构: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
• 出 处: 第十七届全国半导体物理学术会议
• 发表日期: 2009年8期
• 关键词: 二维电子气 反向漏电 栅极击穿 异质结

AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN基HEMT的低频噪音，栅极击穿和关态功率损耗。因此本文研究了不同厚度AIN插入层对Al0.25Ga0.75N/GaN上肖特基接触漏电的影响。