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SiC衬底GaN LED外延薄膜比蓝宝石衬底的缺陷密麦低、晶体制量高，器件电流电压及电流波长特性更稳定。本文通过理论模拟分析7一定内倾角度形貌的SiC衬底LED器件光发射特性及不同衬底材料的LED内量子效率，并对实际两种材料的LED器件进行光电参数测试分析。在相同工作电流条件下，SiC衬底LED光输出功率明显高于蓝宝石衬底LED光输出功率,而电性能不受影响。