【摘 要】
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用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-311G方法,对SiC和SiC(m=4~14)团簇的几何构型、电子结构等性质进行了研究.结果表明,SiC和SiC(m=4~14)团簇的基态均为线状结构,Si原子倾向于在C
【机 构】
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西安交通大学材料学院(西安),山西师范大学化学系(临汾)山西师范大学化学系(临汾)西安交通大学材料学院(西安)
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用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-311G<*>方法,对Si<,2>C<+><,m-2>和Si<,2>C<-><,m-2>(m=4~14)团簇的几何构型、电子结构等性质进行了研究.结果表明,Si<,2>C<+><,m-2>和Si<,2>C<-><,m-2>(m=4~14)团簇的基态均为线状结构,Si原子倾向于在C链端部成键:对于Si<,2>C<,m-2>(x=0,-1)团族,m为奇数的Si<,2>C<,m-2>离子团簇比m为偶数的更为稳定,对于Si<,2>C<+><,m-2>团簇,在m≤11范围内,m等于偶数时团簇较稳定;而在12≤m≤14范围内,m=11的团簇较稳定.
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