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半导体器件的性能与载流子浓度的准确控制以及载流子浓度纵向分布有密切的关系。外延层的载流子浓度分布是影响器件电学性能的重要参数，主要有器件的隔离特性、反向击穿电压、反向漏电、串联电阻等。肖特基势垒二极管在高速集成电路、微波技术等许多领域得到广泛应用。肖特基二极管比普通的PN结二极管具有更好的高频特性，以及较低的正向导通电压。由于肖特基二极管对正向导通电压、反向击穿电压以及串联电阻等有苛刻要求，所以，外延是肖特基二极管制造的关键工艺，外延层质量直接关系到肖特基二极管的参数能否达到要求。主要论述了扩展电阻测试技术针对低电压肖特基二极管外延材料工艺可能产生的测试误差分析。