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本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使外延层杂质分布有了显著改善。
VDMOS管用硅外延片的工艺研究
【摘 要】
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本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使外延层杂质分布有了显著改善。
【机 构】
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南京国盛电子有限公司,南京 210038
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2007年期
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