论文部分内容阅读
用常压ＭＯＣＶＤ技术异质结构生长ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ
【机 构】
：
中国科学院长春物理所
【出 处】
：
第四届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
1994年期
其他文献
“创造性地使用教材”是基础教育新一轮课程改革的一个基本要求。对此,有些小学品德课程教师走进了种种误区,降低了教学的实效性。我们只有在认同教材、尊重教材的基础上超越
该文通过对采用〈２１１〉生长方向大直径锑化铟单晶的分析，详细给出了锑化铟晶片杂质浓度在径向和轴向及切片方同的分布，并得到载流子浓度均匀的大直径晶片。
本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型和P型晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电