【摘 要】
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高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-A1O／Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在研究人员的实验室生长出γ-AlO／Si单晶薄膜它们的结晶关系是（100）γ-
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高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-A1<,2>O<,3>／Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在研究人员的实验室生长出γ-Al<,2>O<,3>／Si单晶薄膜它们的结晶关系是（100）γ-Al<,2>O<,3>//（100）si，[010]γ-Al<,2>0<,3>／／［010］Si.γ-Al<,2>O<,3>／Si单晶薄膜与衬底的热胀系数的差异引起界面硅产生大量Cottrell位错。
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