InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

• 作 者: 韩春林;薛舫时;高建峰;陈辰;
• 机 构: 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所,南京 210016
• 出 处: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2008年期

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。