【摘 要】
：
为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京 100083
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率达到30mW以上。为了研究器件的热稳定性,我们测试了器件在10℃-90℃温度范围内阈值电流密度随温度的变化情况。
1200μm腔长的激光器在10℃-60℃范围内的特征温度达到246K,表明对有源区进行P型调制掺杂有利于量子点激光器温度特性的提高。
其他文献
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。
通常我们把补钙等同于补骨的全部，其实这是一个严重的认识上的误区。据营养学家最新研究结论，补骨是一项非常复杂的人体系统工程，作为骨骼地重要组成物质的钙，必须在多种营养物质
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅
利用分子束外延生长方法我们制备了两组样品,一组为含有自组织生长GaSb量子点的GaAs/AlGaAs调制掺杂高电子迁移率结构。另一组为不含量子点的调制掺杂高电子迁移率参照结构。
本文分别采用射频溅射和激光分子束外延制备了ZnO及Mg0.2Zn0.8O薄膜：利用X射线衍射、光致发光谱、透射光谱、X射线能谱、扫描电子显微镜、以及高能电子衍射等测试于段,研究了
非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC
本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响
本文通过对8b/10b编码协议的修改,构建了一种具有一定检错能力的直流平衡编码。并根据这种编码对VSR4-1.0建议进行改进,提出了一种更高效的甚短距离光传输方式。
本文简述了国际上大功率边发射半导体激光器的器件结构,叠层技术,以及在器件电光转换效率,器件寿命,输出功率等方面取得的新进展。介绍了万瓦级大功率半导体激光合束技术和以
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可用于1.95GHz无线通信应用的功率放大器设计。电路采用有源电流镜电路来提供电压偏置,同时采用反向偏置的二极管来稳定功率HBT管的偏置电压