【摘 要】
：
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型
【机 构】
：
光学与电子信息学院,武汉国家光电实验室,华中科技大学,武汉430074
【出 处】
：
TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型氧化物材料,如CuOx、CoOx、SnOx,种类较少并未受到足够的关注,其在忆阻器应用中的导电机理也未被清楚解释.我们沉积了与CMOS工艺兼容的Cu2O p型半导体薄膜材料,制备了2×4crossbar结构TiW/Cu2O/Cu忆阻器件阵列.Cu与TiW电极(厚度150nm)采用直流磁控溅射在Ar气氛中制备；Cu2O功能层(厚度50nm)通过直流磁控反应溅射,在Ar：O2=80：20的混合气氛中沉积,不同氩氧流量比会生成不同组分的生成物(Ar：O2=95：5,Cu；Ar：O2=60：40,CuO).XRD测试表明,在2θ=36.3°、42.1°和61.1°存在强衍射峰,分别对应Cu2O材料的(111)、(200)和(220)晶向.
其他文献
高功率脉冲磁控溅射是一种最近发展起来的技术，其利用脉冲瞬间施加的高电压形成高高密度的等离子体，脉冲功率达到千瓦至兆瓦，有效提高了膜层均匀性、致密性以及膜基结合力。
In this talk, I will attempt to highlight our recent work on the numerical simulation and analysis of compressible turbulent flow and fluid-flexible-structu
随着需求的增加，来源于天然菌株的目标蛋白（如食品酶、环保酶、生物医药用酶）产量已严重不能满足实际需要，改造生产菌株乃至构建生物表达系统来高效生产外源蛋白已成为目前酶工程
利用一种简单的水热法在FTO上合成了单晶锐钛矿纳米片阵列薄膜.通过改变氧化钛表面F离子的含量，使CdS选择性的沉积在低能{101}面上.对于锐钛矿，由于不同晶面表面的电子排布
Reservoir simulator constitutes the core of data analysis in petroleum reservoir development.With industrys advancements in unconventional resources, such a
忆阻器是一类高速、高密度、低功耗的非易失性阻变器件，按照电阻转变行为，忆阻材料可以分成电阻突变型和电阻渐变型两种。突变型适合应用在存储器、逻辑运算以及现场可编程
TiAlN涂层是目前应用最为广泛的切削刀具用涂层，为满足先进切削工艺的发展需求，通过多元合金化进一步改善TiAlN涂层的性能受到广泛的关注.通过TiAlN涂层的多元合金掺杂来改
合理密植可提高土地利用率,是提高作物产量的重要技术措施。但是,密度过大群体内光照不足,植株因其避荫性而竞争旺长,严重时倒伏,产量和品质反而下降。研究表明,避荫性与植物
自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,
本文通过磁控多靶溅射系统,以化合物TiN靶和Ag靶在常温下沉积,分别沉积TiN薄膜和Ag-TiN复合薄膜,研究TiN薄膜晶相和亲疏水性。使用磁控共溅射获得Ag-TiN复合薄膜,通过XRD