【摘 要】
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自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,
【机 构】
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复旦大学材料科学系,TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海200433
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
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自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,不仅在地球上含量少,并且价格非常昂贵.因此为了实现可持续发展,开发少含In或者不含In元素的TFT显得尤为重要.Sn4+具有与In3+相同的电子结构,理论上SnO2-TFT也具有高迁移率.为了解决本征SnO2 TFT载流子浓度高,关态电流大的问题,本课题组首先采用钨掺杂氧化锡(TWO)薄膜作为沟道层,以期提升氧化物TFT的性能.本实验中,我们通过改变TWO沟道层厚度来研究其对器件性能的影响.
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