【摘 要】
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对于电子型铜氧化物，反铁磁序与超导是否共存？以及与反铁磁序相关的量子临界点的位置，目前存在很大的争议.输运测量测量显示反铁磁的边界会延伸到过掺杂区域，但是μ SR显示反
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京100190
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对于电子型铜氧化物，反铁磁序与超导是否共存？以及与反铁磁序相关的量子临界点的位置，目前存在很大的争议.输运测量测量显示反铁磁的边界会延伸到过掺杂区域，但是μ SR显示反铁磁序在超导开始时就已经消失.针对上述争议，我们对不同氧含量的La2-xCexCuO4±δ(x=0.1)超导薄膜进行了强磁场(58T)输运测量，我们发现了两个特征温度：T1(60±5K)和T2(25±5K).其中二维反铁磁序特征温度T1不会随磁场发生变化(B＜58T)；但三维反铁磁序的特征温度T2在强磁场下会发生移动.结合之前的Ce掺杂相图，我们构建了Ce掺杂、氧含量的高维相图，解释了量子临界点位置的矛盾：超导与自旋密度波的相互作用会使量子临界点向低掺杂移动，但磁场破坏超导后会使该临界点向高掺杂区域移动.通过测量不同氧含量的样品，我们发现自旋密度波涨落与超导转变温度直接相关，自旋密度波能隙关闭温度高对应的超导转变温度越高.
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