【摘 要】
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本文对于层状二硫属化合物2H-TaSe2掺杂过渡金属Fe、Cu、Sn的超导电性进行了研究.通过高温固相反应法合成了多晶样品M0.1TaSe2(M=Fe,Cu,Sn),利用粉末X射线衍射(XRD)确定
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京100190
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本文对于层状二硫属化合物2H-TaSe2掺杂过渡金属Fe、Cu、Sn的超导电性进行了研究.通过高温固相反应法合成了多晶样品M0.1TaSe2(M=Fe,Cu,Sn),利用粉末X射线衍射(XRD)确定其结构均为2H相并进行了结构精修.电阻测量表明样品Fe0.1TaSe2具有金属性但不超导,在低温时出现近藤效应；样品Cu0.1TaSe2和Sn0.1TaSe2均超导,它们的超导转变温度分别为2.4K(Cu0.1TaSe2)、2.7K(Sn0.1TaSe2).零场下的磁化率测量(ZFC)表明Cu0.1TaSe2的超导转变温度为2.25K；Fe0.1TaSe2在9K以下为自旋玻璃态.上述结果表明过渡金属掺杂能够显著提高2H-TaSe2的Tc值,磁性元素的掺杂使得化合物表现出新的物理性质,因此下一步可以通过掺杂浓度来调控物理性质以实现超导的目的.
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