C波段铝栅GaAs MESFET的失效分析

来源 :中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daitiejian
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通过对可靠性试验中失效器件的分析,对其直流参数的失效模式初步进行归纳分类。烧毁失效的失效模式是栅失控,主要原因有三:明显的操作失误;不自觉的工作失误;工艺缺陷或材料缺陷造成的烧毁失效。另一类失效是夹不断失效,通过整理试验数据和扫描电镜的观察分析,夹不断失效主要是工艺中的缺陷引起的。(李大光摘)
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