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介绍了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
【摘 要】
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介绍了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。
【机 构】
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科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
【出 处】
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
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1996年期
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