高功率半导体激光器技术的几个关键问题探讨

• 作 者: 刘兴胜 房艳 王警卫 熊玲玲 张普
• 机 构: 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119 西安炬光科技有限公司,陕西 西安 710119
• 出 处: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2010年期
• 关键词: 高功率半导体激光器 激光器技术 高可靠性 高亮度 转化效率 制造工艺 影响因素 相关技术 输出功率 关键问题 开放式 优化 基础 光纤 分析 成本 策略

随着其输出功率、转化效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,高功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。如何进一步实现高功率、高亮度和高可靠性已经成为当前拓展和优化高功率半导体激光器技术的关键。本文探讨了以开放式半导体激光器或光纤输出为基础发展半导体激光器技术的三个关键问题:高功率、高亮度和高可靠性,分析了各种影响因素,并提出了相关技术和策略。