F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

• 作 者: 全思[1]于惠游[2]郝跃[1]马晓华[3]张进城[1]
• 机 构: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
• 出 处: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2010年期

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影响,对不同功率F处理的器件施加漏台阶应力。结果显示F等离子体处理的器件应力后阈值电压均有负漂,F处理功率越大t阈值电压漂移量越小。同时,F等离子体处理的栅漏二极管电应力可靠性比未进行F等离子体处理的栅漏二极管可靠性高,且处理功率越大,可靠性越好。因此,F等离子体处理功率应折中选择,功率过小,器件可靠性差,功率过大,器件直流特性差。