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利用扫描隧道显微镜(STM)中高度局域的隧穿电子可以激发吸附在其表面的分子体系并使之发射出光子。我们从理论计算的角度对这一过程进行了系统的研究，其中重点研究了STM针尖与衬底间形成的局域表面等离激元对分子发光特性的影响。为了同时处理隧穿电子和局域表面等离激元对分子的激发，我们发展了一套密度矩阵方法并利用这一方法对卟啉衍生物分子的STM电致发光行为进行了模拟。