【摘 要】
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实验上,原子层厚度的二维半导体材料几乎都应用拉曼光谱来表征材料的内部原子结构和组份[1,2]。但在理论上,很少从原子化学键弛豫和振动的角度给出二维半导体材料新奇拉
【机 构】
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吉首大学,物理与机电工程学院,吉首,416000
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实验上,原子层厚度的二维半导体材料几乎都应用拉曼光谱来表征材料的内部原子结构和组份[1,2]。但在理论上,很少从原子化学键弛豫和振动的角度给出二维半导体材料新奇拉曼频移现象背后的物理机制[3]。本文以课题组原创的键弛豫理论[4,5]与密度泛函微扰理论相结合的方法研究过渡金属二硫族化物(TMDs)拉曼频移组份效应。以键参数(键长、键能和配位数)为桥梁,建立具有原始创新的“组份—键参数—拉曼频移”关联理论,发展低维半导体合金材料拉曼谱的数值算法。揭示TMDs合金材料在不同组分下拉曼光谱背后的物理过程和图像；最终通过实验相验证及优化,为知识创新和新型二维半导体合金材料与器件的设计提供理论基础。
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