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本文根据采用正交实验优化单晶硅太阳电池表面织构化工艺所得出刻蚀的最优理论方案,并用实验验证。最优理论方案是:氢氧化钠1.5%,异丙醇5%,温度85℃,时间25 min,硅酸钠4%,得出最佳绒面反射率是11.07%。通过用实验验证其理论,得到最佳绒面反射率是12.98%,此实验在误差允许的范围内与理论基本相符。此外,在氢氧化钠为3%,异丙醇为8%,温度为80℃,时间为40min条件下,分别加入质量分数为0.3%、0.5%的硅酸钠溶液,发现其都能获得均匀的减反射绒面,且通过与未加入硅酸钠溶液所制作的绒面的表面形貌比较发现,硅酸钠的存在为反应提供了更多的起始点,所制作的绒面排列更为紧密。只不过0.5%的硅酸钠溶液比0.3%的硅酸钠溶液更能为反应提供更多的成核起点,排列更为紧密些。