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常规晶硅太阳电池由于没有采用背场钝化技术，只使用铝背场，而经过烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合和背反射效果方面有很大的局限性，并且是铝硅合金区本身即高复合区，限制了电池效率的进一步提高。本文通过试验，着重比较了SiN背场钝化层和SiO2背场钝化层对电池电性参数的影响和变化趋势。通过对电池片IQE分析发现，在使用了SiO2或SiN背场钝化层后，长波区域的IQE响应相比正常电池片有了明显提升，说明SiO2或SiN确实起到了钝化的作用。而再对电性参数分析后发现，SiO2与SiN相比可以有效提高电池的Rsh，降低反向电流。同时在EFF测试方面，SiO2与SiN相比，也具有一定的优势。