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为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响，通过建立一个典型的金/硅界面结构模型，采用蒙特卡罗方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面材料的输运过程，其中X射线产生的次级电子在介质中输运使用了单次碰撞直接模拟方法。计算研究了不同能量X射线入射下金/硅界面的剂量增强因子随金属材料厚度的变化规律。