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本文介绍了用LCVD的方法制备金属Cr薄膜,用扫描电子显微镜法(SEM),X射线光电子谱,X射线衍射方法对所沉积薄膜进行了表征,并对现阶段LCVD技术的难关进行了总结.针对目前存在的技术问题和发展方向主要归结为：研究LCVD现阶段出现的主要问题是激光再通光窗口处沉积薄膜，无法对其适当加热，严重影响了薄膜的纯净度与厚度。研究分析LCVD过程中各主要工艺参数诸如激光功率、基体预处理和反应气压等对所制薄膜质量的影响，促使LCVD技术理论化，成熟化等。