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本文介绍了一种基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术,用于制作扭摆式硅电容式加速度计的硅零件.它具有对所用设备要求低,成本低,可靠性好等特点.这种工艺路线,稍加调整,也可以应用于其它多种MEMS传感器的制作,如振动、加速度开关、压力传感器等,具有很好的应用前景.
基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术
【摘 要】
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本文介绍了一种基于SiO2/Cr/Au多层掩膜的MEMS加工技术,用于制作扭摆式硅电容式加速度计的硅零件.它具有对所用设备要求低,成本低,可靠性好等特点.这种工艺路线,稍加调整,也
【机 构】
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航天长征火箭技术有限公司MEMS中心,北京,100076
【出 处】
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第九届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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2005年期
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