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采用ＨＦＣＶＤ技术，通过两步ＣＶＤ生长法，以ＣＨ〈，４〉＋ＳｉＨ〈，４〉＋Ｈ〈，２〉混合气体为生长源气，在Ｓｉ衬底上生长３Ｃ－ＳｉＣ晶体薄膜。用ＸＰＳ测试手段对薄膜样品进行了组分分析并通对热丝和衬底基座配置的改进和制备工艺的优化，抑制了ＨＦＣＶＤ技术中的钨玷污和样品表面的富碳现象，获得了符合理想化学计量比的３Ｃ－ＳｉＣ单晶薄膜。