SiC埋层中的高温诱导相变

• 作 者: 严辉 王波 宋雪梅
• 机 构: 工业大学材料学院
• 出 处: 1998年中国材料研讨会
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 高温诱导 金属汽相真空弧 立方相 光电子能谱 诱导相变 相对比例 结构相变 结构变化 高温退火 低温合成 临界点 离子源 非晶相 转变 吸收 能力 红外 测量

金属汽相真空弧（ｍｅｔａｌ ｖａｐｏｒ ｖａｃｕｕｍ ａｒｃ，ＭＥＶＶＡ）离子源具有低温合成立方相ＳｉＣ（β－ＳｉＣ）的能力。经过高温退火，观察到含有立方相的ＳｉＣ埋层发生了明显的结构变化。对应于ＳｉＣ埋层的红外（ＩＲ）吸收结果表明，非晶相ＳｉＣ（ａ－ＳｉＣ）转变为β－ＳｉＣ的临界点在８００￣９００之间，高温诱导下结构相变的细致过程依赖于ＳｉＣ埋层中ａ－ＳｉＣ与β－ＳｉＣ的相对比例。结合光电子能谱（ＸＰＳ）的测量，进一步讨论了高温诱导相变的机制。