论文部分内容阅读
[!--newstext--]
[!--title--]
【摘 要】
：
采用液相外延方法在InAs 衬底上制备了InAs1-xSbx 外延薄膜材料.高分辨率X 射线衍射(HRXRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试表明外延薄膜材料的晶体质量较好.利用维格定律计算得薄
【机 构】
：
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
【出 处】
：
第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会
【发表日期】
：
2014年11期
其他文献
二氧化钛、氧化亚铜和硒化铜纳米材料由于优良的催化、光电转化、磁性能及气敏性等特点,在多方面得到广泛应用。由于材料的性能易受形貌、结构、晶型及尺寸的影响,因此,设计并控制合成具有特定形貌和结构的二氧化钛、氧化亚铜和硒化铜材料具有重要的理论和实际意义。本文采用溶剂热法、水热法、牺牲模板法分别制备了空心Ti O2纳米球、球形Cu2O、八面体形Cu2O和中空硒化铜等微纳米材料,并以SEM、TEM、XRD、
使用液相外延法在InAs 衬底上制备了铟砷锑磷外延薄膜材料.高分辨率X 射线衍射结果及SEM截面图样表明,薄膜材料晶体质量较好,与InAs 衬底间的失配度为0.4 ％.结合HRXRD及EDS 元
会议
Reviews of electronic products are important resources for manufacturers to gather feedbacks from customers.Meanwhile,theyre acted as an crucial reference f
会议
近年来，随着全球工业的迅猛发展，能源渐趋紧张。同时，生产、生活中大量废热的回收利用以及太阳能、地热等新型可再生能源开发的需要，使蓄热理论与技术研究的重要性日益显露。我国
在过去20年，共轭卟啉阵列得到了广泛科学研究与应用，其表现出引人注目的电子、光学、电化学和磁力性能，从而它将在近红外染料、光电染料、非线性光学材料和纳米电子器件方面有很
随着半导体制备发展到45nm 及以下技术节点,对光栅的线宽和外形的控制要求越来越严格,因此在光刻过程中对聚焦/曝光剂量(focus/dose)需要更加严格的控制.以椭偏测量技术为核
会议