【摘 要】
：
随着半导体制备发展到45nm 及以下技术节点,对光栅的线宽和外形的控制要求越来越严格,因此在光刻过程中对聚焦/曝光剂量(focus/dose)需要更加严格的控制.以椭偏测量技术为核
【机 构】
：
睿励科学仪器(上海)有限公司,上海,201203
论文部分内容阅读
随着半导体制备发展到45nm 及以下技术节点,对光栅的线宽和外形的控制要求越来越严格,因此在光刻过程中对聚焦/曝光剂量(focus/dose)需要更加严格的控制.以椭偏测量技术为核心的光学关键尺寸(OCD:optical critical dimension)测量技术可实现对光栅线宽和外形的测量,,因其快速精确、非接触性、非破坏性、可同时对多个工艺特征在线检测等诸多优势,被广泛地应用在极大规模集成电路生产制造中,成为半导体生产工艺的固有组成部分.
其他文献
近年来,由于纳光子学、表面等离子体激元、金属负折射效应等基于金属光学的新型光子技术的出现,金属材料的光学性质受到了更为广泛的关注.大量具有出色性能的新型器件,例如亚
Electrodeposition of Pb on polycrystalline Cu was investigated by means of cyclic voltammetry (CV)and in situ spectroscopic ellipsometry (SE).The kinetics of un
铟(In)基材料应用广泛,典型应用例如透明导电氧化铟锡In2O3:Sn 简称ITO[1],掺铟氮化镓InGaN 高亮度蓝光LED[2],银铟合金[3],铟锡合金[4]等等.因为铟具有润湿玻璃和陶瓷的特殊
本文简要介绍了铅酸蓄电池、正极板栅和低锑合金添加剂的发展现状、进展以及存在的主要问题。通过金相照片扫描、SEM和XPS分析，研究了铈添加剂对低锑合金的结构的影响。通过测
二氧化钛、氧化亚铜和硒化铜纳米材料由于优良的催化、光电转化、磁性能及气敏性等特点,在多方面得到广泛应用。由于材料的性能易受形貌、结构、晶型及尺寸的影响,因此,设计并控制合成具有特定形貌和结构的二氧化钛、氧化亚铜和硒化铜材料具有重要的理论和实际意义。本文采用溶剂热法、水热法、牺牲模板法分别制备了空心Ti O2纳米球、球形Cu2O、八面体形Cu2O和中空硒化铜等微纳米材料,并以SEM、TEM、XRD、
使用液相外延法在InAs 衬底上制备了铟砷锑磷外延薄膜材料.高分辨率X 射线衍射结果及SEM截面图样表明,薄膜材料晶体质量较好,与InAs 衬底间的失配度为0.4 ％.结合HRXRD及EDS 元
Reviews of electronic products are important resources for manufacturers to gather feedbacks from customers.Meanwhile,theyre acted as an crucial reference f
近年来，随着全球工业的迅猛发展，能源渐趋紧张。同时，生产、生活中大量废热的回收利用以及太阳能、地热等新型可再生能源开发的需要，使蓄热理论与技术研究的重要性日益显露。我国
在过去20年，共轭卟啉阵列得到了广泛科学研究与应用，其表现出引人注目的电子、光学、电化学和磁力性能，从而它将在近红外染料、光电染料、非线性光学材料和纳米电子器件方面有很