【摘 要】
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二氧化钒在68℃附近发生从半导体到金属之间的相变过程,在相变过程中伴随着电学性质和光学性质的极大改变,因此具有广泛应用前景.二氧化钒薄膜能够自动调节红外辐射的入射量
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室;上海节能镀膜玻璃工程技术研究中心200083
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二氧化钒在68℃附近发生从半导体到金属之间的相变过程,在相变过程中伴随着电学性质和光学性质的极大改变,因此具有广泛应用前景.二氧化钒薄膜能够自动调节红外辐射的入射量以调节室内温度,是一种良好的智能窗薄膜材料.但是,智能窗薄膜材料需要工作在室温附近,因此人们开始研究如何对二氧化钒相变温度进行调节.通过掺杂、晶粒尺寸、应力和纳米结构等都可以调节二氧化钒薄膜相变温度.磁控溅射是一种适合大规模生产的方法,通过掺杂可以大幅降低二氧化钒薄膜的相变温度.但是,要制备不同相变温度的二氧化钒薄膜,就需要制作不同掺杂量的靶材,既费时费力,又大幅增加成本.
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