原子层沉积高介电纳米薄膜的生长与电学性能

• 作 者: 李爱东;
• 机 构: 南京大学 现代工程与应用科学学院 材料科学与工程系固体微结构物理实验室,南京210093
• 出 处: 2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
• 发表日期: 2010年期

　　原子层沉积技术(atomic layer deposition,ALD),一种可对膜厚进行近似亚单层(sub-monolayer)的精确控制的化学气相沉积技术,在深亚微米集成电路和纳米结构的制备上显示出巨大的应用前景.原子层沉积技术之所以受到半导体工业和纳米材料制备领域的青睐,这与它独特的表面化学吸附和自限制的生长原理密不可分.ALD还具有优异的三维贴合性(conformality)和大面积的均匀性；精确、简单的膜厚控制；低的沉积温度(RT400℃)低沉积速率(1～2 nm/min).它特别做适合界面修饰和制备纳米尺度的多组员的层状结构.