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本文采用AFOR-HET软件系统研究了各层参数对p型薄膜硅/n型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明：透明导电膜的功函数WTCO和p型薄膜硅发射层的带隙宽度对异质结太阳电池性能的影响较大，为了得到性能优异的异质结电池。WTCO应控制在5.2eV以上，p型薄膜硅掺杂浓度NA<1E20时，p型发射层的带隙宽度应选择1.6eV以上的薄膜硅材料。对不同能带补偿的情况模拟表明，△Ec<0.3eV时界面缺陷态几乎不影响电池性能，当△Ec>0.5eV时界面缺陷态对电池性能影响较大。因此，为了制备高效的p型薄膜硅/n型晶体硅异质结电池，要求p型非晶硅发射层的电子亲和势大于3.75eV(即能带补偿△Ec<0.3eV)，或者高质量的界面。最后，我们给出了高性能电池的各层的最佳参数。