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用扫描电镜（ＳＥＭ）电子通道衬度（ＥＣＣ）技术研究了受循环应变载作用下一［１〈’－〉３５］同轴铜双晶体中的位错结构。实验表明，ＳＥＭ－ＥＣＣ技术可以很好地实现对晶界邻域位错结构表现出重要的特征，一是有无位错区形成，二是驻留滑移带结构发展不规则。
循环变形铜双晶体中晶界领域位错结构的扫描电镜观察
【摘 要】
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用扫描电镜（ＳＥＭ）电子通道衬度（ＥＣＣ）技术研究了受循环应变载作用下一［１〈’－〉３５］同轴铜双晶体中的位错结构。实验表明，ＳＥＭ－ＥＣＣ技术可以很好地实现对晶界邻域位错结构表现出重要的特征，一是有无位错区形
【机 构】
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院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室(沈阳)
【出 处】
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第八届全国疲劳学术会议
【发表日期】
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1997年期
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