总剂量辐照后的商用MOS器件的抗老化和耐辐照特性研究

• 作 者: 艾尔肯 余学峰 任迪远 郭旗 陆妩
• 机 构: 中科院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
• 出 处: 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 总剂量辐照 商用 器件 抗老化 耐辐照特性 累积剂量 退火过程 试验结果 老化特性 功耗电流 高温退火 电路 阈电压 电参数 γ辐照 退化 火情

本文研究了国产商用MOS器件CD4007电路经过60Coγ辐照后高温退火和反复辐照-退火情况下的阈电压、静态功耗电流随辐照累积剂量的关系,从而讨论了其抗老化和耐辐照特性.试验结果表明,一定累积剂量辐照后的商用MOS器件CD4007电路,即使其电参数有了较明显的退化,仍能保持相当高的抗老化特性并可以经受反复的辐照退火过程.