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本文对沟道热载子损伤和总剂量辐射损伤的相互作用关系进行了研究,并通过提出两种损伤方式产生界面态在能级分布上的差异模型,对两种损伤的相互作用机理进行了解释.
MOSFET沟道热载流子与总剂量辐照感生界面态的差异模型及两种损伤的相互作用关系
【摘 要】
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本文对沟道热载子损伤和总剂量辐射损伤的相互作用关系进行了研究,并通过提出两种损伤方式产生界面态在能级分布上的差异模型,对两种损伤的相互作用机理进行了解释.
【机 构】
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中科院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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2005年期
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