【摘 要】
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利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,系统地研究和总结了不同取向铜单晶体在循环变形中形变带的微观位错结构.结果表明,铜单晶体试样疲劳变形后在表面通常形成两类形变带
【机 构】
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东北大学理学院材料物理与化学研究所,辽宁沈阳110004
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议
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利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,系统地研究和总结了不同取向铜单晶体在循环变形中形变带的微观位错结构.结果表明,铜单晶体试样疲劳变形后在表面通常形成两类形变带,即:平行于主滑移方向发展的DBⅠ以及与主滑移方向成一定角度发展的DBⅡ.这两种类型的形变带的位错结构与晶体取向的关系有所区别:DBⅠ型形变带的位错结构与晶体取向密切相关,它们可具有不同的位错结构组态,如:PSB楼梯结构、迷宫结构等;对于DBⅡ型形变带,其位错结构似乎与晶体取向关系不大,它均主要由位错墙结构组成,尽管墙结构的形态略有差异.形变带内位错墙的方向往往与基体中位错墙的方向成一定角度,表明形变带与基体之间存在局部的晶体旋转.
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