可见光BN/In2S3光催化剂选择性氧化芳香醇至相应的芳香醛

• 作 者: 谢梦丽 代霞 付先亮 孟苏刚 陈士夫
• 机 构: 淮北师范大学 化学与材料科学学院 淮北 235000
• 出 处: 第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 可见光 半导体光催化剂 选择性氧化 芳香醇 禁带宽度 层状结构 导热系数 转化率

　　In2S3 是一种窄带隙的半导体光催化剂,它的禁带宽度为2.0～2.3 eV,而它的价带位和导带位分别为1.5 eV 和-0.5～-1.0 eV.在之前的研究当中,In2S3 能够选择性氧化芳香醇至相应的芳香醛,并且具有较高的转化率和选择性.BN 是一种与石墨烯结构相类似的层状结构的物质,且具有许多良好的性能,例如：密度小、导电性低、稳定性高以及导热系数较大等.