【摘 要】
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1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特的光电性质,突破传统半导技术的局限,已经发
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特的光电性质,突破传统半导技术的局限,已经发展成为半导体的新一代技术—Ill族氮化物技术,在光电子和微电子领域中开拓了新应用。特别是作为高能效的“能量转换技术”,实现电-光能量转换,在现代能源技术领域中发挥了重要作用,成为“节能减排”的重要途径。本报告概述III族氮化物能量光电子技术的发展现状,讨论分析III族氮化物能量光电子技术今后的发展动向及面临的若干基础问题。
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