【摘 要】
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碳化硅(SIC)是第三代半导体——宽禁带半导体材料的典型代表,SiC材料具有宽带隙、高电子饱和漂移速率、高热导率、高临界击穿场强等优点,具有远大于Si材料的功率品质因子
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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碳化硅(SIC)是第三代半导体——宽禁带半导体材料的典型代表,SiC材料具有宽带隙、高电子饱和漂移速率、高热导率、高临界击穿场强等优点,具有远大于Si材料的功率品质因子,SiC功率器件在高温、大功率、高频、抗辐照等应用环境中具有突出的性能优势。近年来,随着SiC大尺寸高质量单晶衬底和外延材料生长等技术的成熟,以及世界各国对绿色新能源的关注和对低功耗、高效能电力电子装备与系统的迫切需求,SiC电力电子器件得到迅速发展。本文将综合分析SiC电力电子器件的优势及应用,详细阐述SiC电力电子器件发展中仍面临的一些问题及技术解决方案,包括制造工艺技术、器件可靠性等；并全面介绍SiC电力电子器件的国内外最新进展,从促进国内SiC电力电子器件产业化发展角度,提出以高端应用为切入点,以应用为牵引,企业为主体,产学研用协同创新的SiC电力电子器件产业化发展模式。
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