【摘 要】
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单层过渡金属二硫属化物(TMD),也记为MX2(M=Mo,W；X=S,Se),为实现二维极限下的量子点提供了新的机会。基于MX2单层中谷赝自旋的丰富可操控性,这一量子自由度将有希望成为探索TMD量子点中单电子性质的量子自旋电子学中的信息载体。随之而来的一个突出问题就是要确定量子点限制势所引起的谷间杂化程度,因为谷间杂化将影响量子点中谷的性质从而使其和在二维块体中的性质明显不同。该工作中我们利用包络
【机 构】
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北京理工大学物理学院,北京市海淀区中关村南大街5号,100081;香港大学物理学系,香港薄扶林路
【出 处】
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第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Con
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单层过渡金属二硫属化物(TMD),也记为MX2(M=Mo,W；X=S,Se),为实现二维极限下的量子点提供了新的机会。基于MX2单层中谷赝自旋的丰富可操控性,这一量子自由度将有希望成为探索TMD量子点中单电子性质的量子自旋电子学中的信息载体。随之而来的一个突出问题就是要确定量子点限制势所引起的谷间杂化程度,因为谷间杂化将影响量子点中谷的性质从而使其和在二维块体中的性质明显不同。该工作中我们利用包络函数方法和实空间紧束缚方法[1]系统的研究了施加在扩展的MX2单层上的量子点限制势所引起的谷间耦合。我们发现这一体系中的谷间耦合总的来说是很弱的,原因在于量子点边界处的波函数振幅相当小。弱的谷间耦合再结合MX,单层中强的"自旋-谷"耦合[2]使得谷间杂化基本上被压制,从而使得量子点能够很好地继承其相应的二维块体中的谷物理性质,比如谷依赖的光选择定则[2-5]。我们还发现量子点中谷间耦合强度对限制势中心的位置以及限制势的横向大小依赖敏感,这一特征可用于对该类体系中的谷间耦合进行调控。
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